多余的话不多说，我们直接来上答案。下面就是CVD的介绍：
CVD: 英文翻译过来就是化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition)，就是用含有目标元素的气体，接收能量后通过化学反应，制备固体薄膜。这次大家应该知道两者的关系了吧。
下面我们在具体深入的了解下CVD。CVD(化学气相沉积)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的:两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。化学气相沉积法是传统的制备薄膜的技术，其原理是利用气态的先驱反应物，通过原子、分子间化学反应，使得气态前驱体中的某些成分分解，而在基体上形成薄膜。化学气相沉积包括常压化学气相沉积、等离子体辅助化学沉积、激光辅助化学沉积、金属有机化合物沉积等。
CVD技术根据反应类型或者压力可分为低压CVD(LPCVD)、常压CVD(APCVD)、亚常压CVD(SACVD)、超高真空CVD(UHCVD)、等离子体增强CVD(PECVD)、高密度等离子体CVD(HDPCVD)、快热CVD(RTCVD)、金属有机物CVD(MOCVD)。
诺泰CVD设备代表产品：
接下来我们来看下PVD：
PVD: 物理气相沉积（Physical Vapor Deposition), 用物理方式把气化的物质薄膜沉积到目标材料上。
这两者之间还闹过一个有趣的争论。有一些研究爱好者曾分析讨论对许多金属和金属合金是通过物理气相沉积(PVD)还是通过化学气相沉积(CVD)能得到最好的沉积效果？尽管CVD比PVD有更好的台阶覆盖特性，但目前诸如铜的子晶层和钽氮扩散层薄膜都是通过PVD来沉积的，因为现有的大量装置都是基于PVD系统的，工程技术人员对PVD方法也有较高的熟练程度。
看完这篇文章相信大家对什么是CVD，什么是PVD，已经有很清楚的理解了。如果还有疑问可以随时联系我们。
