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等离子体增强化学气相沉积的主要过程

等离子体增强化学气相沉积的主要过程

发布时间:2021-08-12 浏览次数:

    很多朋友有问到等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的基础原理,今天我们就给大家来分享下。

    等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应,从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。由于PECVD技术是通过应气体放电来制备薄膜的,有效地利用了非平衡等离子体的反应特征,从根本上改变了反应体系的能量供给方式。一般说来,采用PECVD技术制备薄膜材料时,薄膜的生长主要包含以下三个基本过程:

   首先,在非平衡等离子体中,电子与反应气体发生初级反应,使得反应气体发生分解,形成离子和活性基团的混合物;

   其二,各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散输运,同时发生各反应物之间的次级反应;

   最后,到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并与表面发生反应,同时伴随有气相分子物的再放出。

离子体增强化学气相沉积

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