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真空PECVD系统

真空PECVD系统

真空PECVD系统

此款真空PECVD系统适用于室温至1200℃条件下进行SiO2、SiNx薄膜的沉积,同时可实现TEOS源沉积,SiC膜层沉积以及液态气态源沉积其它材料,尤其适合于有机材料上高效保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。

产品介绍:
    此款真空PECVD系统是由射频电源、气体质子流量控制系统、衬底控温系统、真空系统组成,适用于室温至1200℃条件下进行SiO2、SiNx薄膜的沉积,同时可实现TEOS源沉积,SiC膜层沉积以及液态气态源沉积其它材料,尤其适合于有机材料上高效保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。

产品参数:
产品名称 真空PECVD系统
产品型号 PT-T1200-PE
外壳 不锈钢
内衬 两层氧化铝纤维
加热元件 电阻丝
电源供应 AC 208-240V,单相,50/60 Hz
最高温度 1200°C (2 hour)
工作温度 1100 °C
温度均匀 ±1°C
最大加热和冷却速率 ≤15 °C/S
炉管尺寸 Φ200×1400mm
管材 优质石英管
加热区大小 Φ250×300mm
恒定温度, 区域长度 180mm
密封 法兰
功率 8KW
温度控制 30 个可编程段,用于精确控制加热速率、冷却速率和停留时间。
内置 PID 自动调谐功能,具有过热和热电偶断路保护。
过温保护和警报允许在没有服务人员的情况下进行操作。
+/- 1 ºC 温度精度。
准确 ±1°C
总重量 100Kg
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