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真空CVD系统

真空CVD系统

真空CVD系统

此款真空CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。

产品介绍:
    此款真空CVD系统是一种分体式管式炉,配备 60mm 直径的石英管、真空泵和四通道质量流量计气体流动系统。 可混合1-6种气体进行CVD。
 
应用范围:
    此款CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。

技术参数:
产品名称 真空CVD系统
产品型号 PT-T1600 CVD
第一部分:标准部分
管式炉 显示 LED
炉体 分体式和上部可以打开
最高温度 1600℃ 
工作温度 ≤1500℃
升温速率  0~10℃/min
温区 300mm
加热元件 MoSi2加热元件
热电偶 B 型
温度控制精度 ±1℃
炉管 80 x 1000mm (OD x minimum L)
材质:高纯氧化铝管
温度控制 通过可控硅功率控制进行PID自动控制
加热曲线 30 步可编程
真空法兰 带阀门的不锈钢真空法兰
电压与功率 220V, 50 Hz, 最大单相 4KW
真空泵系统 旋片真空泵+扩散真空泵 真空泵组:极限真空10-6 Torr。
旋片真空泵和扩散真空泵将设计成推车带轮子。
质量流量计 四个精密质量流量计:
底壳安装1个气体混合罐,底壳左侧安装6个不锈钢针阀,手动控制6种气体混合
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