此款PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。
产品用途：
温度范围宽；溅射区域长；整管可调；精致小巧，性价比高，可实现快速升降温，是实验室生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等的理想选择，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。
产品参数：
| 产品名称 | 1200℃PECVD系统 | |
| 产品型号 | PT-PECVD-1200-50*300-F3 | |
| 加热系统 | 显示 | LED |
| 最高温度 | 1200℃ | |
| 长期工作温度 | ≤1100℃ | |
| 升温速率 | 0~15℃/min (max. 20℃/min) | |
| 温区 | 300mm | |
| 加热元件 | 钼棒 | |
| 热电偶 | K type | |
| 温度均匀性 | ±1℃ | |
| 炉管尺寸 | 60 x 1200mm | |
| 材质：氧化铝 | ||
| 温度控制 | 通过可控硅功率控制进行PID自动控制 | |
| 加热过程 | 30步可编程 | |
| 电压 | 220V，50 Hz，最大单相 3KW | |
| 最大工作压力 | 0.02MPa | |
| 真空系统 | 旋片泵 包括 KF25 适配器、真空泵组波纹管和带轮子的移动柜。 |
冷态极限真空10Pa。 |
| 真空计 | Inficon 数显真空计 | |
| 真空法兰 | 带阀门和针头的不锈钢真空法兰 | |
| 质量流量计 | 流量范围 | CO2（流量范围：0-200 sccm CH4（流量范围：0-200 sccm） N2 流量范围（流量范围：0-200 sccm） |
| 准确性 | ±1.5 % F.S. | |
| 重复精度 | ±1.5 % F.S. | |
| 响应时间 | ≦10sec | |
| 工作压差范围 | 0.1~0.5MPa | |
| 耐压性 | 3MPa | |
| 温度系数 | 零：≤±0.2% F.S./℃； 跨度：≤±0.2% F.S./℃ | |
| 工作环境温度 | 5~45℃ | |
| 输入信号 | 0 V ~ +5.00 V | |
| 输出信号 | 0 V ~ +5.00 V | |
| 等离子射频发生器 | 输出功率：0 -300W可调，±1%稳定性 射频频率：13.56 MHz ±0.005% 稳定性 反射功率：最大 120W 电源稳定性指标：±0.1% 匹配：自动 噪音：<50 分贝。 整体效率：≧70% |
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