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石墨稀-碳纳米管材料CVD设备

石墨稀-碳纳米管材料CVD设备

石墨稀-碳纳米管材料CVD设备

PT-T1050-CVD-LZ型石墨稀、碳纳米管材料CVD设备由管式炉+真空系统+供气系统+水冷系统组成 ,最高温度可以达到1050度,可以是单温区、双温区、三温区等,极限真空最高可以达到10-3Pa

产品介绍:
    PT-T1050-CVD型石墨稀、碳纳米管材料CVD设备由管式炉+真空系统+供气系统+水冷系统组成 ,最高温度可以达到1050度,可以是单温区、双温区、三温区等,极限真空最高可以达到10-3Pa,供气系统是流量调节可以是质子流量计或浮子流量计,混气路数可以是2路、3路、4路、5路相混合。

    管式炉采用掺钼合金加热丝为加热元件,采用双层壳体结构和宇电控温仪表,能进行30段程序控温,移相触发、可控硅控制,炉膛采用日本进口氧化铝多晶纤维材料,具有温场均衡、表面温度低、节能等优点。

    软件控制系统:该炉配有通讯接口和软件,可以直接通过电脑控制炉子的各个参数,并能从电脑上观察到炉子上PV和SV温度值和仪表的运行情况,炉子的实际升温曲线电脑会实时绘出,并能把每个时刻的温度数据保存起来,随时可以调出。
 
应用范围:
    该设备主要用于石墨稀、納米材料工艺涂层、多晶硅、碳化硅、扩散、氧化、退火等工艺。
   
参数详情:

产品名称 石墨稀、碳纳米管材料CVD设备
产品型号 PT-T1050-CVD
炉型结构 卧式、单管或多管系统自动控制
适应晶片尺寸 50--200mm
取片方式 自动悬臂石英推拉舟,配合手动取、放片
最高温度 1050℃
极限真空度 优于1Pa
温度稳定性 400℃~850℃≦+-0.5℃/24h
抽速 抽至极限真空时间15min左右
供电电源 380V 50Hz 三相五线
选配 冷却水:2~4KGF/c㎡,8L/min
更多规格可根据需求定制

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